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MURB1610CT PDF预览

MURB1610CT

更新时间： 2024-09-21 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
台湾光宝 - LITEON 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
SUPER FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

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MURB1610CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：UL FLAMMABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.975 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.025 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MURB1610CT 数据手册

 浏览型号MURB1610CT的Datasheet PDF文件第2页 
LITE-ON  
SEMICONDUCTOR  
MURB1610CT thru 1620CT  
SUPER FAST  
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS  
REVERSE VOLTAGE - 100 to 200 Volts  
FORWARD CURRENT - 16 Amperes  
FEATURES  
Glass passivated chip  
D2PAK  
Superfast switching time for high efficiency  
Low forward voltage drop and high current capability  
Low reverse leakage current  
D 2 PAK  
K
I
MAX.  
10.69  
15.88  
9.25  
DIM.  
A
MIN.  
9.65  
14.60  
8.25  
1.14  
0.51  
2.29  
2.29  
2.03  
1.14  
0.30  
4.37  
A
High surge capacity  
K
D
B
Plastic package has UL flammability classification  
94V-0  
C
C
D
E
B
K
1
2
1.40  
1.14  
F
F
2.79  
MECHANICAL DATA  
2
G
2.79  
G
H
I
H
Case : D PAK molded plastic  
Polarity : As marked on the body  
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams  
E
J
2.92  
1.40  
0.64  
4.83  
J
PIN 1  
PIN 2  
K
K
HEATSINK All Dimensions in millimeter  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
℃
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MURB1610CT  
MURB1620CT  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
200  
140  
200  
RRM  
RMS  
100  
70  
V
V
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
V
DC  
Maximum Average Forward  
Rectified Current  
I
(AV)  
FSM  
A
16  
C=  
@T 125 C  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave  
A
I
100  
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)  
Maximum forward Voltage at 8.0A DC  
Maximum DC Reverse Current  
J
=25 C  
V
V
F
0.975  
5
250  
@T  
@T =150 C  
uA  
I
R
at Rated DC Blocking Voltage  
J
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 1)  
pF  
ns  
85  
25  
C
J
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
T
RR  
R
0JC  
3.0  
C/W  
C
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
T
J
,TSTG  
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
REV. 2, 01-Dec-2000, KTGB01  
F
R
2.Reverse Recovery Test Conditions:I =0.5A,I =1.0A,recovery to 0.25A.  
3.Thermal Resistance Junction to Case.  
12

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