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MUR420L

更新时间: 2024-11-19 01:22:27
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德欧泰克 - DIOTEC /
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2页 137K
描述
Superfast Efficient Rectifier Diodes

MUR420L 数据手册

 浏览型号MUR420L的Datasheet PDF文件第2页 
MUR420L ... MUR460L  
MUR420L ... MUR460L  
IFAV = 4 A  
VRRM = 200...600 V  
IFSM = 110/125 A  
VF  
~ 1.28 V  
Superfast Efficient Rectifier Diodes  
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad  
Tjmax = 150°C  
trr  
< 60ns  
Version 2018-01-23  
Typical Applications  
Typische Anwendungen  
Gleichrichtung hoher Frequenzen  
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad  
Standardausführung 1)  
~DO-201  
Rectification of higher frequencies,  
High efficient switching stages  
Commercial grade 1)  
Ø 4.5+0.1  
-0.3  
Features  
Besonderheiten  
Budget version of  
MUR420..460 series  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Budget-Version der  
MUR420...MUR460 Reihe  
R
Konform zu RoHS, REACH,  
V
Konfliktmineralien 1)  
Mechanical Data 1)  
Taped in ammo pack  
Weight approx.  
Mechanische Daten 1)  
1700  
1.0 g  
Gegurtet in Ammo-Pack  
Gewicht ca.  
Ø 1.2±0.05  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL N/A  
Gehäusematerial  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
MUR420L  
MUR440L  
MUR460L  
200  
400  
600  
200  
400  
600  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
4 A 3)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
25 A 3)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
110 A  
125 A  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
TA = 25°C  
78 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Characteristics  
Kennwerte  
< 10 µA  
Leakage current  
Sperrstrom  
VR = VRRM  
Tj = 25°C  
IR  
IR  
Tj = 100°C  
< 100 µA  
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
RthA  
< 20 K/W 3)  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 

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