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MUR15F

更新时间： 2024-09-21 10:41:59

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扬杰 - YANGJIE		整流二极管
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2页	163K
描述
Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes

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MUR15F 数据手册

MUR810F THRU MUR860F

超快恢复整流二极管 Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes

■特征 Features

■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark

●

I_o

8.0A

V_RRM

100V~600V

ITO-220AC

玻璃钝化芯片 Glass passivated chip

耐正向浪涌电流能力高

.185(4.7)

MAX

.134(3.4)

.113(3.0)

.406(10.3)

MAX

.124(3.16)

MAX

DIA

High surge forward current capability

.112(2.85)

.100(2.55)

.606(15.5)

.583(14.8)

.161(4.1)

MAX

PIN1

.110(2.8)

.098(2.5)

.55(1.4)

MAX

.035(0.9)

MAX

.203(5.15)

.195(4.95)

.543(13.8)

.512(13.2)

■用途 Applications

● 快速整流用

.030(0.76)

MAX

High speed switching

PIN1

PIN2

CASE

Dimensions in inches and (millimeters)

■

极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values（Absolute Maximum Rating）

MUR

810F 815F 820F 840F 860F

参数名称

Item

符号单位

Symbol Unit

测试条件

Conditions

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

I_o

100

150 200 400 600

60H_Z正弦波，电阻负载，T_a=25℃

60H_Zsine wave, R- load, T_a=25℃

平均整流输出电流

Average Rectified Output Current

60H_Z正弦波，一个周期，T_a=25℃

60H_Zsine wave, 1 cycle, T_a=25℃

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-repetitive)Forward Current

I_FSM

125

正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续

时间的积分值

Current Squared Time

I²t

A²s

1ms≤t＜8.3ms T =25℃

贮存温度

Storage Temperature

T_stg

T_j

-55 ~ +150

℃

结温

Junction Temperature

■电特性（T_a=25℃ 除非另有规定）

Electrical Characteristics（T_a=25℃ Unless otherwise specified）

MUR

参数名称

Item

符号

Symbol

单位

Unit

测试条件

Test Condition

810F 815F 820F 840F 860F

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

V_FM

I_RRM1

I_RRM2

μA

I FM =8.0A

0.95

1.25

1.7

T =25℃

反向峰值电流

Peak Reverse Current

V_RM=V_RRM

500

T =125℃

I_F=0.5A I_RM=1A

I_RR=0.25A

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

Trr

热阻

2.0

结和壳之间

Between junction and case

℃/W

θJ-C

Thermal Resistance

扬州扬杰电子科技股份有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Document Number 0158

Rev. 1.0, 22-Sep-11

www.21yangjie.com

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