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MUR140-T

更新时间： 2024-02-11 02:00:48
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
1.0A SUPER-FAST RECTIFIER

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MUR140-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.17
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MUR140-T 数据手册

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MUR140 - MUR160  
1.0A SUPER-FAST RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  
Surge Overload Rating to 35A Peak  
A
B
A
Ideally Suited for Automated Assembly  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 5)  
C
D
Mechanical Data  
·
Case: DO-41  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
DO-41 Plastic  
Min  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Dim  
A
Max  
¾
Terminals: Finish ¾ Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
25.40  
B
4.06  
5.21  
·
Marking: MUR140: R140  
MUR160: R160  
C
0.71  
2.00  
0.864  
2.72  
D
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
All Dimensions in mm  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.35 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
MUR140  
400  
MUR160  
600  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
283  
424  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 120°C  
1.0  
35  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@ IF = 1.0A, TJ = 25°C  
@ IF = 1.0A, TJ = 150°C  
1.25  
1.05  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA  
= 25°C  
5.0  
150  
mA  
@ TA = 150°C  
trr  
trr  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
Forward Recovery Time (Note 4)  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
50  
ns  
ns  
75  
tfr  
50  
45  
ns  
Cj  
pF  
RqJA  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
72  
K/W  
°C  
-65 to +175  
Notes: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 0V DC.  
2. Measured with I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See Figure 5.  
F
R
rr  
3. Measured with I = 1A, di/dt = 50A/us.  
F
4. Measured with I = 1.0A, di/dt = 100A/ms, Duty Cycle £ 2.0%.  
F
5. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS30112 Rev. 6 - 2  
1 of 3  
MUR140 - MUR160  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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