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MUR120GP-BP-HF

更新时间: 2024-11-23 13:11:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

MUR120GP-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.17
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.045 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

MUR120GP-BP-HF 数据手册

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M C C  
MUR105  
THRU  
MUR1100  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
High Surge Capability  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
1 Amp Super Fast  
Recovery Rectifier  
50 to 1000 Volts  
Super Fast Switching Speed For High Efficiency  
Maximum Ratings  
·
·
Operating Temperature: -50°C to +150°C  
Storage Temperature: -50°C to +150°C  
Maximum  
Recurrent  
Maximum DC  
Blocking  
DO-41  
MCC  
Maximum  
Part Number  
Peak Reverse RMS Voltage  
Voltage  
Voltage  
MUR105  
MUR110  
MUR115  
MUR120  
MUR140  
MUR160  
MUR180  
MUR1100  
50V  
100V  
150V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
35V  
70V  
50V  
100V  
150V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
105V  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
D
°
A
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Cathode  
Mark  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
1 A  
T = 55°C  
A
B
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
35A  
8.3ms, half sine  
D
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
MUR105-115  
MUR120-160  
MUR180-1100  
C
VF  
.975V  
1.35V  
1.75V  
I
= 1.0A;  
FM  
T = 25°C  
A
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
MUR105-120  
DIMENSIONS  
IR  
5mA  
50mA  
T = 25°C  
T = 150°C  
A
A
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
DIM  
A
MAX  
.205  
.107  
.034  
---  
MAX  
5.20  
2.70  
.90  
NOTE  
.166  
4.10  
2.00  
.70  
B
C
.080  
.028  
D
1.000  
25.40  
---  
T
rr  
45ns  
60ns  
75ns  
I =0.5A, IR=1.0A,  
F
MUR140-160  
I =0.25A  
rr  
MUR180-1100  
Typical Junction  
Capacitance  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
CJ  
20pF  
*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%  
www.mccsemi.com  

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACK
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