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MUR1060GD

更新时间： 2024-02-03 08:49:06

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描述
10.0 Ampere Heatsink Dual Doubler Polarity Fast Recovery Rectifiers

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MUR1060GD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.36	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.6 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MUR1060GD 数据手册

MUR1020GD thru MUR1060GD

MUR1020GD/MUR1040GD/MUR1060GD

Pb Free Plating Product

10.0 Ampere Heatsink Dual Doubler Polarity Fast Recovery Rectifiers

TO-220AB(TO-220-3L)

Unit:inch(mm)

Features

※ Fast switching for high efficiency

※ Low forward voltage drop

※ High current capability

※ Low reverse leakage current

※ High surge current capability

.419(10.66)

.387(9.85)

.196(5.00)

.163(4.16)

.139(3.55)

MIN

.054(1.39)

.045(1.15)

Application

※ Automotive Inverters and Solar Inverters

※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems

※ Plating Power Supply,Motor Control,UPS and SMPS etc.

.038(0.96)

.025(0.65)MAX

.019(0.50)

Mechanical Data

.1(2.54)

※ Case: Open Heatsink Package TO-220AB

※ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

※ Terminals: Solderable per MIL-STD-202 method 208

※ Polarity: As marked on diode body

※ Mounting position: Any

Case

※ Weight: 2.2 gram approximately

Doubler

Tandem Polarity

Suffix "GD"

Series

Tandem Polarity

Suffix "GS"

Negative

Common Anode

Suffix "GA"

Positive

Common Cathode

Suffix "GC"

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

MUR1020GD MUR1040GD MUR1060GD

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

200

140

200

400

280

400

600

420

600

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current Tc=100℃

10.0

125

1.3

IF(AV)

IFSM

(Total Device 2x5.0A=10.0A)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single Half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC

method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@5.0A

0.98

1.7

(Per Diode/Per Leg)

Maximum DC Reverse Current @TJ=25℃

5.0

100

μA

℃

At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125

Maximum Reverse Recovery Time (Note1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

Trr

1.5

RθJC

℃/W

Operating Junction and Storage

Temperature Range

-55 to +150

TJ,TSTG

℃

Note:(1)Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.

Note:(2)Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.

Note:(3)Thermal Resistance junction to case.

Page 1/2

http://www.thinkisemi.com.tw/

Rev.08T

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