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MUR110

更新时间： 2024-01-14 23:26:18
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描述
ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 600V CURRENT: 1.0A

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MUR110 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.07
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.045 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10

MUR110 数据手册

 浏览型号MUR110的Datasheet PDF文件第2页 
MUR105 THRU MUR160  
ULTRAFAST EFFICIENT  
GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
VOLTAGE:50 TO 600V  
CURRENT: 1.0A  
DO-15  
FEATURE  
Ultrafast Nanosecond Recovery Times  
150°C Operating Junction Temperature  
Low Forward Voltage  
Low Leakage Current  
High Temperature Glass Passivated Junction  
Mechanical Characteristics  
Case: Epoxy, Molded  
Weight: 0.4 gram (approximately)  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
solder heat resistance :265degreeC Max. for 10 Seconds,  
1/16 from case  
Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
MUR  
105  
50  
MUR  
110  
100  
MUR  
120  
MUR  
130  
MUR  
140  
MUR  
160  
SYMBOL  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
35  
50  
70  
Maximum DC blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8”lead length at Ta =55°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
Maximum Forward Voltage at rated Forward  
100  
If(av)  
Ifsm  
Vf  
1.0  
35  
A
A
V
0.875  
1.25  
Current and 25°C  
10  
50  
µ
µ
A
A
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =125°C  
Ir  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Trr  
Cj  
25  
27  
50  
50  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 2)  
(Note 3)  
25  
R(ja)  
Tstg, Tj  
°C /W  
°C  
Storage and Operating Temperature Range  
-55 to +150  
Note:  
1. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted  
Rev.A6  
www.gulfsemi.com  
12

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