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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 850 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 325 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 80 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP4N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP50 | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 50A |
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| MTP5006A1 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5006M1 | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5006W | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5008A1 | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5008L | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5008M1 | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5008W | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP5010A1 | NELLSEMI |
获取价格 |
Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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