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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP15N05EN | MOTOROLA |
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15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05ES | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP15N05ET | MOTOROLA |
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15 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05EU | MOTOROLA |
获取价格 |
15 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05EU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP15N05EUA | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MTP15N05EW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP15N05EWC | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP15N05L | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTP15N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
15A, 50V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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