5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 550 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-218AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 320 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 210 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTH6N60 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor |
|
| MTH6N60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| MTH6N85 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 850V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTH6N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTH7N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MTH7N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MTH800 | MICROSEMI |
获取价格 |
3 PHASE FULL WAVE BRIDGE RECTIFIER |
|
| MTH8N35 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
|
| MTH8N40 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
|
| MTH8N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
