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MTH30N20

更新时间: 2024-11-21 20:41:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC

MTH30N20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):500 pF
JEDEC-95代码:TO-218ACJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):90 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):350 ns
Base Number Matches:1

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