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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MTD4N20E-1 | ROCHESTER | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3 |
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| MTD4N20ET4 | ONSEMI | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D, DPAK-3 |
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| MTD4N20ET4 | MOTOROLA | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTD4N20E-T4 | MOTOROLA | 4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| MTD4N20T4 | MOTOROLA | 4A, 200V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTD4P05 | MOTOROLA | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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