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MTA9D0P03V8-0-T6-G

更新时间： 2022-02-26 13:53:28

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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9页	762K
描述
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTA9D0P03V8-0-T6-G 数据手册

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Spec. No. : C050V8

Issued Date : 2019.01.22

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 5/9

Typical Characteristics(Cont.)

Threshold Voltage vs Junction Tempearture

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage

10000

1.4

1.2

ID=-1mA

Ciss

0.8

0.6

0.4

0.2

1000

Coss

ID=-250μA

Crss

100

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-VDS, Drain-Source Voltage(V)

Tj, Junction Temperature(°C)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

Gate Charge Characteristics

100

VDS=-15V

VDS=-25V

VDS=-5V

Pulsed

Ta=25°C

0.1

0.01

ID=-12A

12 18 24 30 36 42 48 54 60

Qg, Total Gate Charge(nC)

0.001

0.01

0.1

-ID, Drain Current(A)

Maximum Drain Current vs Junction Temperature

Maximum Safe Operating Area

1000

100

RDS(ON)

Limited

100μs

1ms

10ms

100ms

TA=25°C, Tj=150°, VGS=-10V

RθJA=50°C/W, Single Pulse

0.1

0.01

TA=25°C, VGS=-10V, RθJA=50°C/W

100

125

150

175

0.01

0.1

100

TJ, Junction Temperature(°C)

-VDS, Drain-Source Voltage(V)

MTA9D0P03V8

CYStek Product Specification

1 2 3 456 7 8 9

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