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MT5C1008DCJ-25LE/883C

更新时间: 2024-01-17 02:48:36
品牌 Logo 应用领域
MICROSS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 320K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

MT5C1008DCJ-25LE/883C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ32,.44针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.45
最长访问时间:25 ns其他特性:BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.825 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class C
座面最大高度:4.191 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.415 mmBase Number Matches:1

MT5C1008DCJ-25LE/883C 数据手册

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