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MT4LSDT464LHG-10E

更新时间: 2024-11-23 22:16:19
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1667K
描述
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE

MT4LSDT464LHG-10E 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.37
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
端子数量:144字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:65 °C
最低工作温度:组织:4MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM144,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):235电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:25.527 mm最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.76 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

MT4LSDT464LHG-10E 数据手册

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