生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM160 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 11 ns | 其他特性: | 32K X 8 TAG |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N160 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | CACHE TAG SRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 160 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM160 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.013 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.63 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MT3LST3264G-12 | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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MT3LST3264G-9 | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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MT3LST3264PG-7 | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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MT3LST3264PG-8 | ETC | x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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MT3S03 | TOSHIBA | TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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MT3S03A | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,NPN,5V V(BR)CEO,40MA I(C),SOT-416VAR |
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