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MSS1P6-M3/89A

更新时间： 2024-02-29 02:07:29

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威世 - VISHAY		肖特基二极管
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4页	108K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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MSS1P6-M3/89A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.22
其他特性：	FREE WHEELING DIODE , LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.68 V	JEDEC-95代码：	DO-219AD
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	25 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	150 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MSS1P6-M3/89A 数据手册

New Product

MSS1P5 & MSS1P6

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 0.68 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

Top View

Bottom View

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

MicroSMP

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

MECHANICAL DATA

Case: MicroSMP

V_RRM

I_FSM

50 V, 60 V

25 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

V_Fat I_F= 1.0 A

T_Jmax.

0.52 V

150 °C

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

TYPICAL APPLICATIONS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity

protection applications.

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

MSS1P5

MSS1P6

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Document Number: 89018

Revision: 04-Aug-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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