Datasheet > MSP430F5229IRGCT

MSP430F5229IRGCT

更新时间： 2024-11-29 11:11:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		静态存储器比较器闪存
页数	文件大小	规格书
124页	3977K
描述
具有 128KB 闪存、8KB SRAM、10 位 ADC、比较器、DMA 和 1.8V 双电源 I/O 的 25MHz MCU \| RGC \| 64 \| -40 to 85

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSP430F5229IRGCT 数据手册

Support &

Community

Reference

Design

Product

Folder

Order

Now

Tools &

Software

Technical

Documents

MSP430F5229, MSP430F5227, MSP430F5224, MSP430F5222

MSP430F5219, MSP430F5217, MSP430F5214, MSP430F5212

ZHCSAJ5H –NOVEMBER 2012–REVISED SEPTEMBER 2018

MSP430F522x/MSP430F521x 混合信号微控制器

1 器件概述

1.1 特性

• 双电源电压器件

• 统一时钟系统

– 主电源 (AVVC，DVVC)：

– 针对频率稳定的锁相环 (FLL) 控制环路

– 低功耗低频内部时钟源 (VLO)

– 低频修整内部基准源 (REFO)

– 32kHz 手表晶振 (XT1)

– 由外部电源供电：

3.6V 低至 1.8V

– 多达 22 个通用 I/O，最多可支持 4 个外部中

断

– 高达 32MHz 的高频晶振 (XT2)

– 低压接口电源 (DVIO)：

– 由独立的外部电源供电：1.62V 至 1.98V

– 多达 31 个通用 I/O，支持多达 12 个外部中断

– 串行通信

• 具有 5 个捕捉/比较寄存器的 16 位定时器

TA0，Timer_A

• 具有 3 个捕捉/比较寄存器的 16 位定时器

TA1，Timer_A

• 超低功耗

• 具有 3 个捕捉/比较寄存器的 16 位定时器

TA2，Timer_A

• 具有 7 个捕捉/比较影子寄存器的 16 位定时器

TB0，Timer_B

– 激活模式 (AM)：

所有系统时钟激活

在 8MHz，3.0V，闪存程序执行时为 290µA/MHz

（典型值）

在 8MHz，3.0V，RAM 程序执行时为

150µA/MHz（典型值）

• 2 个通用串行通信接口

– USCI_A0 和 USCI_A1 每个都支持：

– 具有自动波特率检测功能的增强型通用异步收

发器 (UART)

– IrDA 编码和解码

– 同步串行外设接口 (SPI)

– USCI_B0 和 USCI_B1 每个都支持：

– I²C

– 待机模式 (LPM3)：

带有晶振的实时时钟 (RTC)，看门狗和电源监视

器可用，完全 RAM 保持，快速唤醒：

2.2V 时为 1.9µA，3.0V 时为 2.1µA（典型值）

低功耗振荡器 (VLO)，通用计数器，看门狗和电

源监视器可用，完全 RAM 保持，快速唤醒：

3.0V 时为 1.4µA（典型值）

– 同步串行外设接口 (SPI)

– 关闭模式 (LPM4)：

• 带内部基准、采样与保持功能的 10 位模数转换器

完全 RAM 保持，电源监视器可用，快速唤醒：

3.0V 时为 1.1µA（典型值）

– 关断模式 (LPM4.5)：

(ADC)

• 比较器

• 硬件乘法器支持 32 位运算

• 串行板上编程，无需外部编程电压

• 3 通道内部直接内存访问 (DMA)

• 具有 RTC 特性的基本计时器

• 器件比较汇总了可用的系列产品成员

3.0V 时为 0.18µA（典型值）

• 在 3.5µs（典型值）内从待机模式唤醒

• 16 位精简指令集计算机 (RISC) 架构，扩展内存，

高达 25MHz 的系统时钟

• 灵活的电源管理系统

– 内置可编程的低压降稳压器 (LDO)

– 电源电压监控、监视、和临时限电

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLAS718

12 3 4 5 6 7...124

中文翻译

下载PDF

与MSP430F5229IRGCT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSP430F5229IYFFR	TI	获取价格	具有 128KB 闪存、8KB SRAM、10 位 ADC、比较器、DMA 和 1.8V
MSP430F5229IYFFT	TI	获取价格	具有 128KB 闪存、8KB SRAM、10 位 ADC、比较器、DMA 和 1.8V
MSP430F5232	TI	获取价格	具有 64KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和
MSP430F5232IRGZR	TI	获取价格	具有 64KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和
MSP430F5232IRGZT	TI	获取价格	具有 64KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和
MSP430F5234	TI	获取价格	具有 128KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器
MSP430F5234IRGZR	TI	获取价格	具有 128KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器
MSP430F5234IRGZT	TI	获取价格	具有 128KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器
MSP430F5237	TI	获取价格	具有 64KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和
MSP430F5237IRGCR	TI	获取价格	具有 64KB 闪存、8KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器和

与MSP430F5229IRGCT相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

48
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSP430F5229IRGCT

MSP430F5229IRGCT 数据手册

与MSP430F5229IRGCT相关器件

与MSP430F5229IRGCT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSP430F5229IRGCT

MSP430F5229IRGCT 数据手册

与MSP430F5229IRGCT相关器件

与MSP430F5229IRGCT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？