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MSMLJ54AE3

更新时间: 2024-11-24 04:50:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 482K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 54V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

MSMLJ54AE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-214AB
包装说明:R-PDSO-J2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:8.31
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:66.3 V
最小击穿电压:60 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ABJESD-30 代码:R-PDSO-J2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.61 W参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:54 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

MSMLJ54AE3 数据手册

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MSMLJ54AE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSMLJ54A MICROSEMI

完全替代

SURFACE MOUNT 3000 Watt Transient Voltage Suppressor
MSMLJ54AE3TR MICROSEMI

功能相似

3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN

与MSMLJ54AE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSMLJ54AE3TR MICROSEMI

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3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN
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3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN
MSMLJ54CA/TR MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 54V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMLJ54CAE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 54V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMLJ54CAE3/TR MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 54V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN
MSMLJ58A MICROSEMI

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SURFACE MOUNT 3000 Watt Transient Voltage Suppressor
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-