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MSMCJ12ATR

更新时间： 2024-11-15 04:40:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
7页	439K
描述
1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

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MSMCJ12ATR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-J2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.54
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	14.7 V
最小击穿电压：	13.3 V	击穿电压标称值：	14 V
最大钳位电压：	19.9 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-J2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.56 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	12 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSMCJ12C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
MSMCJ12CA/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMCJ12CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMCJ12CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
MSMCJ12CATR	MICROSEMI	获取价格	1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
MSMCJ130A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
MSMCJ130AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
MSMCJ130AE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
MSMCJ130ATR	MICROSEMI	获取价格	1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
MSMCJ130C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,