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MSMCJ100ATR

更新时间： 2024-10-02 08:15:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
7页	439K
描述
1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

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MSMCJ100ATR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-J2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.55
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	123 V
最小击穿电压：	111 V	击穿电压标称值：	117 V
最大钳位电压：	162 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-J2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.56 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSMCJ100CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMCJ100CATR	MICROSEMI	获取价格	1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
MSMCJ10A	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMCJ10A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMCJ10AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMCJ10AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMCJ10AE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMCJ10AE3TR	MICROSEMI	获取价格	1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
MSMCJ10ATR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
MSMCJ10C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,