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MSMBJ150CA

更新时间: 2024-11-16 14:30:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 565K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

MSMBJ150CA 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-214AA
包装说明:R-PDSO-J2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:2.14
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:185 V最小击穿电压:167 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-J2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):235
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.38 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:150 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

MSMBJ150CA 数据手册

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MSMBJ150CA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSMBJ150CAE3 MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
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