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MSMBJ12CAE3

更新时间： 2024-11-16 14:30:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	565K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

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MSMBJ12CAE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-J2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	14.7 V	最小击穿电压：	13.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-J2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.38 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MSMBJ12CA	MICROSEMI	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSMBJ12CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
MSMBJ12CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
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MSMBJ130AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
MSMBJ130CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMBJ130CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMBJ130CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMBJ130CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN