Datasheet > MSM51V16805B-60JS

MSM51V16805B-60JS

更新时间： 2024-11-21 15:44:51

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	96K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSM51V16805B-60JS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.26
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MSM51V16805B-60JS 数据手册

浏览型号MSM51V16805B-60JS的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MSM51V16805B-60JS的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MSM51V16805B-60JS的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MSM51V16805B-60JS的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MSM51V16805B-60JS的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MSM51V16805B-60JS的Datasheet PDF文件第7页

¡ Semiconductor

MSM51V16805B/BSL

E2G0077-17-41

MSM51V16805B/BSL

2,097,152-Word ¥ 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO

DESCRIPTION

The MSM51V16805B/BSL is a 2,097,152-word ¥8-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate

CMOStechnology.TheMSM51V16805B/BSLachieveshighintegration,high-speedoperation,and

low-power consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/

double-layer metal CMOS process. The MSM51V16805B/BSL is available in a 28-pin plastic SOJ or

28-pin plastic TSOP. The MSM51V16805BSL (the self-refresh version) is specially designed for

lower-power applications.

FEATURES

• 2,097,152-word ¥ 8-bit configuration

• Single 3.3 V power supply, ±0.3 V tolerance

• Input

: LVTTL compatible, low input capacitance

• Output : LVTTL compatible, 3-state

• Refresh : 4096 cycles/64 ms, 4096 cycles/128 ms (SL version)

• Fast page mode with EDO, read modify write capability

• CAS before RAS refresh, hidden refresh, RAS-only refresh capability

• CAS before RAS self-refresh capability (SL version)

• Multi-bit test mode capability

• Package options:

28-pin 400 mil plastic SOJ

28-pin 400 mil plastic TSOP

(SOJ28-P-400-1.27)

(TSOPII28-P-400-1.27-K) (Product : MSM51V16805B/BSL-xxTS-K)

xx indicates speed rank.

(Product : MSM51V16805B/BSL-xxJS)

PRODUCT FAMILY

Access Time (Max.)

Cycle Time

(Min.)

Power Dissipation

Family

t_RACt_AAt_CACt_OEA

50 ns 25 ns 13 ns 13 ns

60 ns 30 ns 15 ns 15 ns

70 ns 35 ns 20 ns 20 ns

Standby (Max.)

Operating (Max.)

MSM51V16805B/BSL-50

MSM51V16805B/BSL-60

MSM51V16805B/BSL-70

84 ns

104 ns

124 ns

540 mW

468 mW

396 mW

1.8 mW/

0.72 mW (SL version)

369

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与MSM51V16805B-60JS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSM51V16805B-60TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM51V16805B-70JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
MSM51V16805B-70TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM51V16805BSL	OKI	获取价格	2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM51V16805BSL-50TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM51V16805BSL-60TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM51V16805BSL-70JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
MSM51V16805BSL-70TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM51V16805D	OKI	获取价格	2,097,152-Word X 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM51V16805D-50JS	OKI	获取价格	2,097,152-Word X 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO

与MSM51V16805B-60JS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

31
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSM51V16805B-60JS

MSM51V16805B-60JS 技术参数

MSM51V16805B-60JS 数据手册

与MSM51V16805B-60JS相关器件

与MSM51V16805B-60JS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSM51V16805B-60JS

MSM51V16805B-60JS 技术参数

MSM51V16805B-60JS 数据手册

与MSM51V16805B-60JS相关器件

与MSM51V16805B-60JS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？