Datasheet > MSM51V16165B-50JS

MSM51V16165B-50JS

更新时间： 2024-11-23 14:53:59

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSM51V16165B-50JS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	长度：	27.3 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	42
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	3.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MSM51V16165B-50JS 数据手册

浏览型号MSM51V16165B-50JS的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MSM51V16165B-50JS的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MSM51V16165B-50JS的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MSM51V16165B-50JS的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MSM51V16165B-50JS的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MSM51V16165B-50JS的Datasheet PDF文件第7页

¡ Semiconductor

MSM51V16165B/BSL

E2G0085-17-41

MSM51V16165B/BSL

1,048,576-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO

DESCRIPTION

TheMSM51V16165B/BSLisa1,048,576-word¥16-bitdynamicRAMfabricatedinOki'ssilicon-gate

CMOStechnology.TheMSM51V16165B/BSLachieveshighintegration,high-speedoperation,and

low-power consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/

double-layer metal CMOS process. The MSM51V16165B/BSL is available in a 42-pin plastic SOJ or

50/44-pin plastic TSOP. The MSM51V16165BSL (the self-refresh version) is specially designed for

lower-power applications.

FEATURES

• 1,048,576-word ¥ 16-bit configuration

• Single 3.3 V power supply, ±0.3 V tolerance

• Input

: LVTTL compatible, low input capacitance

• Output : LVTTL compatible, 3-state

• Refresh : 4096 cycles/64 ms, 4096 cycles/128 ms (SL version)

• Fast page mode with EDO, read modify write capability

• CAS before RAS refresh, hidden refresh, RAS-only refresh capability

• CAS before RAS self-refresh capability (SL version)

• Package options:

42-pin 400 mil plastic SOJ

(SOJ42-P-400-1.27)

(Product : MSM51V16165B/BSL-xxJS)

50/44-pin 400 mil plastic TSOP

(TSOPII50/44-P-400-0.80-K) (Product : MSM51V16165B/BSL-xxTS-K)

xx indicates speed rank.

PRODUCT FAMILY

Access Time (Max.)

Cycle Time

(Min.)

Power Dissipation

Family

t_RACt_AAt_CACt_OEA

50 ns 25 ns 13 ns 13 ns

60 ns 30 ns 15 ns 15 ns

70 ns 35 ns 20 ns 20 ns

Standby (Max.)

Operating (Max.)

MSM51V16165B/BSL-50

MSM51V16165B/BSL-60

MSM51V16165B/BSL-70

84 ns

104 ns

124 ns

576 mW

468 mW

396 mW

1.8 mW/

0.72 mW (SL version)

401

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与MSM51V16165B-50JS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSM51V16165B-60JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V16165B-60TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
MSM51V16165B-70TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
MSM51V16165BSL-50JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V16165BSL-60JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V16165BSL-70TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
MSM51V16165D	OKI	获取价格	1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM51V16165D-50JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
MSM51V16165D-50TS-K	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
MSM51V16165D-60JS	OKI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42

与MSM51V16165B-50JS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSM51V16165B-50JS

MSM51V16165B-50JS 技术参数

MSM51V16165B-50JS 数据手册

与MSM51V16165B-50JS相关器件

与MSM51V16165B-50JS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSM51V16165B-50JS

MSM51V16165B-50JS 技术参数

MSM51V16165B-50JS 数据手册

与MSM51V16165B-50JS相关器件

与MSM51V16165B-50JS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？