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MSM511000C-70JS

更新时间： 2024-02-11 18:37:47

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冲电气 - OKI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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15页	223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

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MSM511000C-70JS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PZIP-T20	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP20,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	Base Number Matches：	1

MSM511000C-70JS 数据手册

¡ Semiconductor

MSM511000C/CL

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Voltage on Any Pin Relative to V_SS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

Symbol

V_T

Rating

–1.0 to 7.0

Unit

I_OS

P_D

Operating Temperature

Storage Temperature

T_opr

T_stg

0 to 70

–55 to 150

°C

*: Ta = 25°C

Recommended Operating Conditions

(Ta = 0°C to 70°C)

Parameter

Power Supply Voltage

Symbol

V_CC

Min.

4.5

Typ.

5.0

Max.

Unit

5.5

V_SS

Input High Voltage

Input Low Voltage

V_IH

2.4

–1.0

—

6.5

0.8

V_IL

—

Capacitance

(V_CC= 5 V 10ꢀ, Ta = 25°C, f = 1 MHꢁ)

Parameter

Symbol

C_IN1

Typ.

Max.

Unit

Input Capacitance (A0 - A9, D_IN)

—

Input Capacitance (RAS, CAS, WE)

C_IN2

Output Capacitance (D_OUT

)

C_OUT

4/15

1 2 345 6 7...15

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