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MSM511000C-70JS

更新时间： 2024-02-28 13:53:30

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冲电气 - OKI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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15页	223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

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MSM511000C-70JS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PZIP-T20	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP20,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	Base Number Matches：	1

MSM511000C-70JS 数据手册

¡ Semiconductor

MSM511000C/CL

BLOCK DIAGRAM

Timing

Generator

RAS

CAS

Timing

Generator

Write

Column

Address

Buffers

Column

Decoders

Clock

Generator

Internal

Address

Counter

I/O

Selector

Refresh

Control Clock

Sense

Amplifiers

Output

D_OUT

A0 - A9

Buffer

Row

Address

Buffers

Row

De-

Word

Drivers

Memory

Cells

Input

Buffer

D_IN

coders

V_CC

On Chip

Generator

V_SS

3/15

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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