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MSM511000C-70JS

更新时间: 2024-01-05 13:01:06
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

MSM511000C-70JS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:ZIP, ZIP20,.1Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PZIP-T20JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP20,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.06 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

MSM511000C-70JS 数据手册

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¡ Semiconductor  
MSM511000C/CL  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
DIN  
1
26 VSS  
25 DOUT  
24 CAS  
23 NC  
22 A9  
A9 1  
2
4
6
8
CAS  
VSS  
WE  
NC  
WE 2  
RAS 3  
NC 4  
DOUT  
DIN  
3
5
RAS 7  
NC 9  
A0 11  
A2 13  
VCC 15  
A5 17  
A7 19  
NC 5  
NO LEAD  
12 A1  
14 A3  
16 A4  
18 A6  
20 A8  
A0 9  
A1 10  
A2 11  
A3 12  
VCC 13  
18 A8  
17 A7  
16 A6  
15 A5  
14 A4  
26/20-Pin Plastic SOJ  
20-Pin Plastic ZIP  
Pin Name  
A0 - A9  
RAS  
Function  
Address Input  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Data Input  
CAS  
DIN  
DOUT  
WE  
Data Output  
Write Enable  
VCC  
Power Supply (5 V)  
Ground (0 V)  
VSS  
NC  
No Connection  
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