5秒后页面跳转
MSM511000C-70JS PDF预览

MSM511000C-70JS

更新时间: 2024-01-18 00:43:45
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

MSM511000C-70JS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:ZIP, ZIP20,.1Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PZIP-T20JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP20,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.06 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

MSM511000C-70JS 数据手册

 浏览型号MSM511000C-70JS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MSM511000C-70JS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MSM511000C-70JS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MSM511000C-70JS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MSM511000C-70JS的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MSM511000C-70JS的Datasheet PDF文件第10页 
¡ Semiconductor  
MSM511000C/CL  
AC Characteristics (2/2)  
(VCC = 5 V 10ꢀ, Ta = 0°C to 70°C) Note 1, 2, 3  
MSM511000 MSM511000 MSM511000 MSM511000  
C/CL-45 C/CL-50 C/CL-60 C/CL-70  
Parameter  
Symbol  
Unit Note  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
Read Command Set-up Time  
Read Command Hold Time  
tRCS  
tRCH  
0
0
0
0
0
0
0
ns  
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
8
9
Read Command Hold Time referenced to RAS tRRH  
0
0
0
Write Command Set-up Time  
Write Command Hold Time  
Write Command Hold Time from RAS  
Write Command Pulse Width  
Write Command to RAS Lead Time  
Write Command to CAS Lead Time  
Data-in Set-up Time  
tWCS  
0
0
0
tWCH 10  
tWCR 35  
10  
40  
10  
14  
14  
0
10  
50  
10  
15  
15  
0
15  
55  
15  
20  
20  
0
tWP  
10  
tRWL 14  
tCWL 14  
tDS  
tDH  
0
10  
10  
Data-in Hold Time  
12  
13  
40  
14  
26  
50  
35  
0
15  
50  
15  
30  
60  
40  
0
15  
55  
20  
35  
70  
45  
0
Data-in Hold Time from RAS  
CAS to WE Delay Time  
tDHR 35  
tCWD 14  
tAWD 24  
tRWD 45  
tCPWD 33  
9
9
9
9
Column Address to WE Delay Time  
RAS to WE Delay Time  
CAS Precharge WE Delay Time  
CAS Active Delay Time from RAS Precharge tRPC  
0
RAS to CAS Set-up Time (CAS before RAS) tCSR 10  
RAS to CAS Hold Time (CAS before RAS) tCHR 25  
10  
25  
10  
30  
10  
30  
7/15  

与MSM511000C-70JS相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MSM511000C-70ZS OKI 1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

获取价格

MSM511000C-80RS OKI Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, MOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

获取价格

MSM511000C-80ZS OKI Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, MOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

获取价格

MSM511000CL OKI 1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

获取价格

MSM511000CL-45 OKI 1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

获取价格

MSM511000CL-45JS OKI 1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

获取价格