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MSM511000C-60ZS

更新时间： 2024-01-08 13:15:52

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冲电气 - OKI		内存集成电路动态存储器
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15页	223K
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1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

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MSM511000C-60ZS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PZIP-T19
长度：	25.5 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	19	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	10.16 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	2.8 mm	Base Number Matches：	1

MSM511000C-60ZS 数据手册

¡ Semiconductor

MSM511000C/CL

Notes: 1. A start-up delay of 100 µs is required after power-up, followed by a minimum of

eight initialization cycles (RAS-only refresh or CAS before RAS refresh) before

proper device operation is achieved.

2. The AC characteristics assume t = 5 ns.

3. V (Min.) and V (Max.) are reference levels for measuring input timing signals.

Transition times (t ) are measured between V and V .

4. This parameter is measured with a load circuit equivalent to 2 TTL loads and 100 pF.

5. Operation within the t (Max.) limit ensures that t (Max.) can be met.

RCD

RAC

(Max.) is specified as a reference point only. If t

(Max.) limit, then the access time is controlled by t

is greater than the specified

RCD

CAC

6. Operation within the t

(Max.) limit ensures that t

(Max.) can be met.

RAD

RAC

(Max.) is specified as a reference point only. If t

(Max.) limit, then the access time is controlled by t

is greater than the specified

RAD

7. t_OFF(Max.)definesthetimeatwhichtheoutputachievestheopencircuitconditionand

is not referenced to output voltage levels.

8. t

9. t

or t

must be satisfied for a read cycle.

RCH

RRH

, t

and t

are not restrictive operating parameters. They are

WCS CWD RWD AWD

CPWD

included in the data sheet as electrical characteristics only. If t

≥t

(Min.), then

WCS WCS

the cycle is an early write cycle and the data out will remain open circuit (high

impedance) throughout the entire cycle. If t ≥ t (Min.) , t ≥ t (Min.),

CWD

RWD

≥ t

(Min.) and t

≥ t

(Min.), then the cycle is a read modify write

AWD

CPWD

cycle and data out will contain data read from the selected cell; if neither of the above

sets of conditions is satisfied, then the condition of the data out (at access time) is

indeterminate.

10. These parameters are referenced to the CAS leading edge in an early write cycle, and

to the WE leading edge in a read modify write cycle.

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