Datasheet > 存储 > DRAM> MSM511000C-60ZS

MSM511000C-60ZS

更新时间： 2024-01-07 03:33:40

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSM511000C-60ZS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PZIP-T19
长度：	25.5 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	19	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	10.16 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	2.8 mm	Base Number Matches：	1

MSM511000C-60ZS 数据手册

¡ Semiconductor

MSM511000C/CL

DC Characteristics

(V_CC= 5 V 10ꢀ, Ta = 0°C to 70°C)

MSM511000 MSM511000 MSM511000 MSM511000

C/CL-45 C/CL-50 C/CL-60 C/CL-70

Parameter

Symbol

Condition

Unit Note

Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.

Output High Voltage

Output Low Voltage

I_OH= –5.0 mA

I_OL= 4.2 mA

V_OH

V_OL

2.4 V_CC2.4 V_CC2.4 V_CC2.4 V_CC

0.4

0 V £ V_I£ 6.5 V;

All other pins not

under test = 0 V

D_OUTdisable

Input Leakage Current

I_LI

–10 10 –10 10 –10 10 –10 10

Output Leakage Current

–10 10 –10 10 –10 10 –10 10 mA

I_LO

0 V £ V_O£ 5.5 V

Average Power

Supply Current

(Operating)

RAS, CAS cycling,

—

1, 2

I_CC1

—

t_RC= Min.

RAS, CAS = V_IH

RAS, CAS

—

Power Supply

I_CC2

I_CC3

I_CC5

I_CC6

I_CC7

I_CC10

Current (Standby)

1, 5

≥ V_CC–0.2 V

RAS cycling,

CAS = V_IH,

200

Average Power

Supply Current

—

60 mA 1, 2

(RAS-only Refresh)

t_RC= Min.

RAS = V_IH,

Power Supply

CAS = V_IL,

Current (Standby)

D_OUT= enable

Average Power

Supply Current

(CAS before RAS Refresh)

Average Power

Supply Current

(Fast Page Mode)

Average Power

Supply Current

(Battery Backup)

RAS cycling,

300

60 mA 1, 2

CAS before RAS

RAS = V_IL,

CAS cycling,

55 mA 1, 3

_PC= Min.

t_RC= 125 ms,

CAS before RAS,

t_RAS£ 1 ms

1, 4,

300

Notes : 1. I Max. is specified as I for output open condition.

2. The address can be changed once or less while RAS = V .

3. The address can be changed once or less while CAS = V

4. V – 0.2 V £ V £ 6.5 V, –1.0 V £ V £ 0.2 V.

5. L-version.

5/15

1 2 3 456 7 8...15

下载PDF

与MSM511000C-60ZS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MSM511000C-70	OKI	1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE	获取价格
MSM511000C-70JS	OKI	1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE	获取价格
MSM511000C-70ZS	OKI	1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE	获取价格
MSM511000C-80RS	OKI	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, MOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18	获取价格
MSM511000C-80ZS	OKI	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, MOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20	获取价格
MSM511000CL	OKI	1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE	获取价格

与MSM511000C-60ZS相关文章

STM32F030C6芯片介绍：主要参数分析、引脚配置说明、功耗及封装
2024-05-11

10
PCF8591数据手册解读：参数、引脚说明
2024-05-11

18
一文带你了解ss8050参数、引脚配置、应用指南
2024-05-11

8
深入解析AD7606高性能多通道模数转换器：资料手册参数分析
2024-05-10

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSM511000C-60ZS

MSM511000C-60ZS 技术参数

MSM511000C-60ZS 数据手册

与MSM511000C-60ZS相关器件

与MSM511000C-60ZS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSM511000C-60ZS

MSM511000C-60ZS 技术参数

MSM511000C-60ZS 数据手册

与MSM511000C-60ZS相关器件

与MSM511000C-60ZS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？