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MSM511000C-60ZS

更新时间： 2024-01-25 07:44:03

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冲电气 - OKI		内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

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技术参数
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MSM511000C-60ZS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PZIP-T19
长度：	25.5 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	19	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	10.16 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	2.8 mm	Base Number Matches：	1

MSM511000C-60ZS 数据手册

¡ Semiconductor

MSM511000C/CL

PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)

D_IN

26 V_SS

25 D_OUT

24 CAS

23 NC

22 A9

A9 1

CAS

V_SS

WE 2

RAS 3

NC 4

D_OUT

D_IN

RAS 7

NC 9

A0 11

A2 13

V_CC15

A5 17

A7 19

NC 5

NO LEAD

12 A1

14 A3

16 A4

18 A6

20 A8

A0 9

A1 10

A2 11

A3 12

V_CC13

18 A8

17 A7

16 A6

15 A5

14 A4

26/20-Pin Plastic SOJ

20-Pin Plastic ZIP

Pin Name

A0 - A9

RAS

Function

Address Input

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Data Input

CAS

D_IN

D_OUT

Data Output

Write Enable

V_CC

Power Supply (5 V)

Ground (0 V)

V_SS

No Connection

2/15

123 4 5 6 7...15

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