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MSM511000C-60ZS PDF预览

MSM511000C-60ZS

更新时间： 2024-01-08 21:15:37
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 223K
描述
1,048,576-Word x 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE

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MSM511000C-60ZS 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：ZIP
包装说明：ZIP,针数：20
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.83
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PZIP-T19
长度：25.5 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：19字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：ZIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified刷新周期：512
座面最大高度：10.16 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：1.27 mm端子位置：ZIG-ZAG
宽度：2.8 mmBase Number Matches：1

MSM511000C-60ZS 数据手册

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¡ Semiconductor  
MSM511000C/CL  
AC Characteristics (1/2)  
(VCC = 5 V 10ꢀ, Ta = 0°C to 70°C) Note 1, 2, 3  
MSM511000 MSM511000 MSM511000 MSM511000  
C/CL-45 C/CL-50 C/CL-60 C/CL-70  
Parameter  
Symbol  
Unit Note  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
Random Read or Write Cycle Time  
Read Modify Write Cycle Time  
Fast Page Mode Cycle Time  
Fast Page Mode Read Modify Write  
Cycle Time  
tRC  
90  
—
—
—
100  
120  
36  
—
—
—
120  
140  
40  
—
—
—
130  
155  
45  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
tRWC 110  
tPC 34  
tPRWC 54  
—
56  
—
60  
—
70  
—
ns  
Access Time from RAS  
tRAC  
tCAC  
tAA  
—
—
—
—
0
45  
14  
24  
28  
—
14  
50  
8
—
—
—
—
0
50  
14  
26  
30  
—
14  
50  
8
—
—
—
—
0
60  
15  
30  
35  
—
15  
50  
8
—
—
—
—
0
70  
20  
35  
40  
—
20  
50  
8
ns 4, 5, 6  
Access Time from CAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
4, 5  
4, 6  
4
Access Time from Column Address  
Access Time from CAS Precharge  
Output Low Impedance Time from CAS  
tCPA  
tCLZ  
4
CAS to Data Output Buffer Turn-off Delay Time tOFF  
0
0
0
0
7
Transition Time  
tT  
3
3
3
3
3
Refresh Period  
tREF  
tREF  
tRP  
—
—
35  
—
—
40  
—
—
50  
—
—
50  
Refresh Period (L-version)  
RAS Precharge Time  
64  
—
64  
—
64  
—
64 ms  
ns  
—
RAS Pulse Width  
tRAS 45 10,000 50 10,000 60 10,000 70 10,000 ns  
tRASP 45 100,000 50 100,000 60 100,000 70 100,000 ns  
RAS Pulse Width (Fast Page Mode)  
RAS Hold Time  
tRSH 14  
tCP 10  
—
—
14  
10  
—
—
15  
10  
—
—
20  
10  
—
—
ns  
ns  
CAS Precharge Time (Fast Page Mode)  
CAS Pulse Width  
tCAS 14 10,000 14 10,000 15 10,000 20 10,000 ns  
CAS Hold Time  
tCSH 45  
tCRP  
—
—
—
31  
21  
—
—
—
—
—
—
50  
5
—
—
—
36  
24  
—
—
—
—
—
—
60  
5
—
—
—
45  
30  
—
—
—
—
—
—
70  
5
—
—
—
50  
35  
—
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
CAS to RAS Precharge Time  
RAS Hold Time from CAS Precharge  
RAS to CAS Delay Time  
5
tRHCP 28  
tRCD 17  
tRAD 12  
30  
18  
13  
0
35  
20  
15  
0
40  
20  
15  
0
5
6
RAS to Column Address Delay Time  
Row Address Set-up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
Column Address Hold Time  
Column Address Hold Time from RAS  
Column Address to RAS Lead Time  
tASR  
tRAH  
tASC  
0
7
0
8
10  
0
10  
0
0
tCAH 12  
tAR 35  
tRAL 24  
13  
40  
26  
15  
50  
30  
15  
55  
35  
6/15  
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