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MSM41256A-15RS

更新时间： 2024-11-25 19:58:59

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	375K
描述
Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16

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MSM41256A-15RS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
长度：	19.1 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	16	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	4.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSM41464-10JS	OKI	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18
MSM41464-10RS	OKI	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, NMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
MSM41464-12JS	OKI	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18
MSM41464-12RS	OKI	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, NMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
MSM41464-15JS	OKI	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18
MSM41464-15RS	OKI	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, NMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
MSM420W6	LITTELFUSE	获取价格	Operation (Delay-on-Make) The time delay begins upon application of input voltage. The out
MSM4256G-25	MOSAIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS, CDFP28
MSM4256G-45	MOSAIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDFP28
MSM4256GI-25	MOSAIC	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS, CDFP28