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MSKD200-16 PDF预览

MSKD200-16

更新时间： 2024-02-26 21:29:12
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 140K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200A, 1600V V(RRM), Silicon, CASE D2, 3 PIN

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MSKD200-16 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XUFM-X3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.79其他特性：UL RECOGNIZED
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：6800 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：200 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1600 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MSKD200-16 数据手册

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MSKD200 ; MSAD200 ; MSCD200  
Glass Passivated Rectifier  
Diode Modules  
VRRM 800 to 1800V  
IFAV 200 Amp  
Applications  
y
y
y
Non-controllable rectifiers for AC/AC  
converters  
Line rectifiers for transistorized AC motor  
controllers  
Field supply for DC motors  
Circuit  
Features  
y
Blocking voltage:800 to 1800V  
Heat transfer through aluminum oxide ceramic  
isolated metal baseplate  
y
y
y
Glass passivated chip  
UL E243882 approved  
Module Type  
TYPE  
VRRM  
800V  
1200V  
1600V  
1800V  
VRSM  
900V  
1300V  
1700V  
1900V  
MSCD200-08  
MSCD200-12  
MSCD200-16  
MSCD200-18  
MSAD200-08  
MSAD200-12  
MSAD200-16  
MSAD200-18  
MSKD200-08  
MSKD200-12  
MSKD200-16  
MSKD200-18  
Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Values  
200  
Units  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=95℃  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=102℃  
t=10mS Tvj =45℃  
A
IFAV  
IF(RMS)  
IFSM  
i2t  
240  
A
6800  
A
A2s  
V
t=10mS Tvj =45℃  
231200  
3000  
a.c.50HZ;r.m.s.;1min  
Visol  
Tvj  
-40 to 150  
-40 to 125  
5±15%  
5±15%  
160  
℃
℃
Nm  
Nm  
g
Tstg  
Mt  
To terminals(M6)  
Ms  
To heatsink(M6)  
Weight  
Module (Approximately)  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Values  
0.18  
Units  
℃/W  
Per diode  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Module  
0.05  
℃/W  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Values  
Min. Typ. Max.  
Conditions  
Units  
T=25℃IF =300A  
Tvj=150℃VRD=VRRM  
－
－
1.18  
1.30  
9
V
VFM  
IRD  
－
mA  
MSKD200_MSAD200_MSCD200 - Rev2  
Oct, 2011  
www.microsemi.com  
1/3  
123

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MSKD200-16 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MD200K16D2-BP MCC

类似代替

 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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MSKD200-18 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200A, 1800V V(RRM), Silicon, CASE D2, 3 PIN
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