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MSK4100

更新时间: 2024-11-21 21:15:07
品牌 Logo 应用领域
MSK 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 260K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

MSK4100 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MBFM-P7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:5 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-MBFM-P7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:100 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):330 ns
标称接通时间 (ton):15 nsVCEsat-Max:1.65 V
Base Number Matches:1

MSK4100 数据手册

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