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MS1076B

更新时间： 2024-01-03 14:24:11

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	86K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, PLASTIC, M174, FM-4

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MS1076B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
其他特性：	HIGH RELIABILTY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1076

TEST CIRCUIT

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MS1076C	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH	获取价格
MS1076D	MICROSEMI	暂无描述	获取价格
MS1076E	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH	获取价格
MS1076F	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH	获取价格
MS1076G	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH	获取价格
MS1076H	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH	获取价格