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MS1080

更新时间： 2024-02-06 02:08:45

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M174, 4 PIN

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MS1080 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：	12 A	基于收集器的最大容量：	370 pF
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1080 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1080

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

30 MHz

50 VOLTS

GOLD METALLIZATION

P_OUT= 220 W PEP

G_P= 13 dB GAIN MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1080 is a 50 volt epitaxial NPN transistor designed

primarily for SSB communication equipment. This device

utilizes an emitter ballasted die geometry for maximum

ruggedness under severe operating conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

110

Unit

Collector - Base Voltage

V_CEO

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Device Current

V_EBO

4.0

P_DISS

T_J

Power Dissipation

300

+200

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

- 65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction - Case Thermal Resistance

0.55

°C/W

MSCXXXX.PDF 01-19-99

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MS-108-2	RRE	Standard size Reed Sensor	获取价格
MS-108295	AMPHENOL	the interchangeability and operating characteristics are determined by U.S. Military Speci	获取价格
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MS-108-3-1	PIC	Reed Sensor - pitch 20.32 mm	获取价格