MS1079

更新时间： 2024-09-24 22:29:51

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
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4页	265K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

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MS1079 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	12 A
基于收集器的最大容量：	390 pF	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1079 数据手册

MS1079

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

•

30 MHz

50 VOLTS

P_OUT= 220 W

G_P= 13 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1079 is a 50 V epitaxial silicon NPN planar transistor

designed primarily for SSB communications. This device

utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

_CBO

Parameter

Value

110

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

P_DISS

T_J

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

320

+200

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

0.7

°C/W

053-7052 Rev - 10-2002

12 3 4

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