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MS1020

更新时间： 2024-11-23 18:54:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	131K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN,

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MS1020 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.91	最大集电极电流 (IC)：	3.25 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	18	JESD-30 代码：	O-PRFM-F4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	127 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1020 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1020

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

2-30 MHz OPERATION SSB

GOLD METALIZATION

65 W (PEP) WITH 18 dB GAIN OPERATED CLASS AB

16W (PEP) WITH 19 dB GAIN OPERATED CLASS A

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

THE MS1020 IS A 50V, NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR

DESIGNED FOR 2-30 MHz SSB APPLICATIONS. THE MS1020

OFFERS THERMAL RELIABILITY AND EXCELLENT

INTERMODULATION CHARACTERISTICS. DEVICE IS

REQUIRED BY BOTH COMMERCIAL AND MILITARY

APPLICATIONS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

110

Unit

V_CBO

Collector-base Voltage

V_CEO

I_C

Collector-emitter Voltage

Device Current

3.25

127

P_DISS

Power Dissipation

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

200

ºC

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

2.0

°C/W

MSC0924.PDF 10-09-98

12 3

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