Datasheet > MS-P042

MS-P042

更新时间： 2024-11-15 12:47:27

品牌	Logo	应用领域
AKM		/
页数	文件大小	规格书
4页	246K
描述
Shipped in stick (300 pcs per pack)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MS-P042 数据手册

InSb Semiconductor Magnetoresistive Element

MS-P042

MS-P042はバイアス磁石と組み合わせることにより歯車モジュールm=0.4のA/B相を出力します。

１つのパッケージの中に、2個のSMR素子チップ（Z相用、A/B相用各１素子）を有し、同一の素子を２個上下に配置しています。

2素子の間隔は、6.0±0.2mm*です。(300pcs/pack)

Shipped in stick (300 pcs per pack)

注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏の「重要事項」を

Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE"

注意

良くお読みください。

written on the back of the front cover of this catalogue.

●最大定格 (Ta=25℃) Absolute Maximum Ratings

項ꢀ目

Item

記号

Symbol

定ꢀꢀ格

Limit

単ꢀ位

Unit

許

容

損

失

710

℃

Max.Input.Power

動

作

温

度

Topr.

Tstg.

－40 ～ 100

－40 ～ 125

Operating Temp. Range

保

存

温

度

℃

Storage Temp. Range

（注意

）実使用時の最大制御電圧はバイアスマグネットに依存します。

Dimensional Drawing (Unit:mm)

●外形寸法図

●磁気及び電気的特性（Ta=25℃）Magnetic & Electrical Characteristics (Ta=25℃)

項ꢀ目

記号

測

ꢀ定ꢀ条ꢀ件

最小標準最大単位

2.9

2.7

2.2

0.5

Item

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

無磁界入力抵抗（B=0)^*1

Input Resistance

無磁界出力抵抗（B=0)^*1

Output Resistance

(0)

Ⅰ=1mA, B=0T

230

375

9.4

1.4

0.5

(0) Ⅰ=1mA, B=0T

out

A相無磁界中性電位^*2

VA(0) V =5V, B=0T

2.46

170

2.54

2.5

Phase-A Voltage(B=0)

B相無磁界中性電位^*2

Phase-B Voltage(B=0)

A相有磁界中性電位^*3

Phase-A Voltage(B=0.45T)

B相有磁界中性電位^*3

Phase-B Voltage(B=0.45T)

V =5V, B=0T

VB(0)

6.0±0.2

VA(B) V =5V, B=0.45T

VB(B) V =5V, B=0.45T

入力抵抗磁気抵抗変化率^*3

Input Resistance Change Ratio

1.6

Ⅰ=1mA, B=0.45/0T

△R

in/ in

出力抵抗磁気抵抗変化率^*4

Output Resistance Change Ratio

2.2 0.7

△R /R

Ⅰ=1mA, B=0.45/0T

170

out out

11.8

9.4

7.05

*1 Rin(0)：B=0Tにおける2（＋）－8（－）間の抵抗および、4（＋）－6（－）間の抵抗

Rout(0)：B=0Tにおける1（＋）－7（－）間の抵抗および、3（＋）－5（－）間の抵抗

*2 VA(0)：B=0Tにおける、2（＋）－8（－）間にVc=5Vを印加した状態での1（Za相）の電圧

および、4（＋）－6(－)間にVc=5Vを印加した状態での、3（A相）の電圧

VB(0)：B=0Tにおける、2（＋）－8（－）間にVc=5Vを印加した状態での7（Za相）の電圧

および、4（＋）－6(－)間にVc=5Vを印加した状態での、5(A相)の電圧

リꢀーꢀドꢀ接ꢀ続

Pinning

*3 VA(B)：B=0.45Tにおける、2（＋）－8（－）間にVc=5Vを印加した状態での1（Za相）の電圧

および、4（＋）－6（－）間にVc=5Vを印加した状態での、3(A相)の電圧

入ꢀ力

Input

2（＋） 8（ー）

VB(B)：B=0.45Tにおける、2（＋）－8（－）間にVc=5Vを印加した状態での7（Za相）の

電圧および、4（＋）－6（－）間にVc=5Vを印加した状態での、5(A相)の電圧

*4ΔRin/Rin =（Rin（B）－Rin（0））/Rin（0）ꢀRin（B）：B=0.45Tにおける入力抵抗

ꢀꢀΔRout/Rout =（Rou（t B）-Rou（t 0））/Rou（t 0）Rou（t B）：B=0.45Tにおける出力抵抗

出ꢀ力 1（Za相）7（Zb相）

Output Phase Za Phase Zb

6.2

7.2

8.8

入ꢀ力

4（＋） 6（ー）

Input

出ꢀ力 3（A相） 5（B相）

Output Phase A Phase B

●許容損失 Power Dissipation

700

600

500

400

300

200

6.2

7.2

8.8

9.4

100

–60 –40

–20

100

周

囲温度:Ta［℃］Ambient Temperature

*注1) 公差は特に定める以外は±0.1mm とします。

Note 1) The tolerances of dimensions with no mentions is ±0.1mm

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MS-P042相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MS-P043	AKM	获取价格	Shipped in stick (300 pcs per pack)
MSP05	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line, Molded SIP 01, 03, 05 Schematics 6, 8, 9 or 1
MSP06	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line, Molded SIP 01, 03, 05 Schematics 6, 8, 9 or 1
MSP06065G1	Maplesemi	获取价格	TO-220
MSP06A	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line, Molded SIP 01, 03, 05 Schematics 6, 8, 9 or 1
MSP06A00110RSDA	VISHAY	获取价格	Array/Network Resistor, Metal Glaze/thick Film, 110ohm, 100V, -100,100ppm/Cel, 5909,
MSP06A001K00F	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line,
MSP06A001K00G	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line,
MSP06A001K00J	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line,
MSP06A001K00S	VISHAY	获取价格	Thick Film Resistor Networks Single-In-Line,

与MS-P042相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

11
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MS-P042

MS-P042 数据手册

与MS-P042相关器件

与MS-P042相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MS-P042

MS-P042 数据手册

与MS-P042相关器件

与MS-P042相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？