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MRW54001

更新时间： 2025-08-19 12:20:03

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRW54001 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.16 A
基于收集器的最大容量：	3.5 pF	集电极-发射极最大电压：	22 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

MRW54001 数据手册

MRW54001

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .200 4L PILL

DESCRIPTION:

The ASI MRW54001 is Designed for

Classs "A" and "AB" Amplifier

Applications Up to 2.0 GHz.

FEATURES:

• Omnigold™ Metalization System

• Implanted ballast resistors

• Common-Emitter

MAXIMUM RATINGS

160 mA

22 V

V_CEO

V_CES

T_J

50 V

-65 °C to +200 °C

40 °C/W

1 = Collector 3 = Base 2 & 4 = Emitter

T_STG

θ_JC

UNIT

B₁

D₁

D₂

0.75

0.67

1.63

1.38

0.065

0.055

0.81

0.71

0.032

0.028

0.16

0.10

0.006

0.004

3.38

3.08

0.133

0.121

5.28

5.12

0.208

0.202

5.23

5.13

0.206

0.202

inches

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 1.0 mA

I_E= 250 µA

3.5

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

V_CB= 28 V

250

120

µA

---

V_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA

I_E= 120 mA

h_FE

V_CE= 20 V

4.0

4.5

f_t

GHz

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

P_out= 0.5 W

3.5

C_ob

V_CE= 20 V

I_CQ= 120 mA

G_PE

L_G

f = 2.0 GHz

-0.2/+1.0

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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