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MRT100KP90AE3

更新时间： 2024-11-16 14:30:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	427K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

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MRT100KP90AE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.52	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	111 V	最小击穿电压：	100 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AR	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	100000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	7 W	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	90 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRT100KP90AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MRT100KP90AE3TR	MICROSEMI	获取价格	100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN
MRT100KP90ATR	MICROSEMI	获取价格	100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN
MRT100KP90C	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 90V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MRT100KP90CA/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 90V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MRT100KP90CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 90V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MRT100KP90CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	100000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN
MRT1011CAE4A	NXP	获取价格	i.MX RT1024 Crossover Processors Data Sheet for Consumer Products
MRT1011CAE4B	NXP	获取价格	i.MX RT1024 Crossover Processors Data Sheet for Consumer Products
MRT1011CAE5A	NXP	获取价格	i.MX RT1024 Crossover Processors Data Sheet for Consumer Products