MRF141

更新时间： 2024-01-11 10:08:28

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
8页	164K
描述
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

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MRF141 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	32 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF141 数据手册

TYPICAL CHARACTERISTICS

320

280

240

200

160

120

320

f = 30 MHz

= 250 mA

f = 175 MHz

280

240

200

160

120

= 250 mA

= 4 W

= 20 W

2 W

1 W

14 W

8 W

SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)

Figure 8. Output Power versus Supply Voltage

Figure 9. Output Power versus Supply Voltage

= 250 mA

= 28, f = 30 MHz, TONE SEPARATION = 1 kHz

= 500 mA

100

120

140

160

180

200

, OUTPUT POWER (WATTS)

out

Figure 10. IMD versus P

out

(PEP)

MRF141

MOTOROLA RF DEVICE DATA

1 2 345 6 7 8

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