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MRF1000MB

更新时间: 2025-08-19 10:47:35
品牌 Logo 应用领域
ASI 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 16K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

MRF1000MB 技术参数

生命周期:Active包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.38
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:L BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):7 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF1000MB 数据手册

  
MRF1000MB  
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The ASI MRF1000MB is Designed for  
Class A, DME/TACAN Applications up to  
1090 MHz.  
PACKAGE STYLE .280 4L PILL  
A
E
FEATURES:  
Class A Operation  
PG = 10 dB at 0.2 W/1090 MHz  
Omnigold™ Metalization System  
C
ØB  
B
ØC  
E
MAXIMUM RATINGS  
D
F
E
200 mA  
20 V  
IC  
VCE  
PDISS  
TJ  
MINIMUM  
inches / mm  
MAXIMUM  
inches / mm  
DIM  
7.0 W  
.220 / 5.59  
.230 / 5.84  
A
B
C
D
E
F
1.055 / 26.80  
.285 / 7.24  
.006 / 0.15  
.060 . 1.52  
.130 / 3.30  
-65 OC to +200 OC  
-65 OC to +150 OC  
25.0 OC/W  
.275 / 6.99  
.004 / 0.10  
.050 / 1.27  
.118 / 3.00  
TSTG  
θJC  
CHARACTERISTICS TC = 25 O  
C
SYMBOL  
BVCBO  
NONETEST CONDITIONS  
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS  
IC = 1.0 mA  
IC = 5.0 mA  
IE = 1.0 mA  
VCE = 28 V  
VCE = 5.0 V  
50  
V
20  
BVCEO  
BVEBO  
ICES  
V
3.5  
V
1.0  
mA  
---  
IC = 100 mA  
15  
10  
120  
hFE  
VCC = 18 V  
POUT = 0.2 W  
f = 1090 MHz  
PG  
dB  
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.  
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004  
Specifications are subject to change without notice.  
REV. B  
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