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MQ1N4706D-1

更新时间: 2024-11-23 20:08:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 169K
描述
Zener Diode, 19V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

MQ1N4706D-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-7包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.79其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
参考标准:MIL-19500标称参考电压:19 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:1%
工作测试电流:0.05 mABase Number Matches:1

MQ1N4706D-1 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MQ1N4706D-1/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 19V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS
MQ1N4706D-1TR MICROSEMI

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Zener Diode, 19V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS
MQ1N4706DTR MICROSEMI

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Zener Diode, 19V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS
MQ1N4706DUR-1 MICROSEMI

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Zener Diode
MQ1N4706DUR-1/TR MICROSEMI

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MQ1N4707-1/TR MICROSEMI

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