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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | 其他特性： | RATED BREAKING CAPACITY AT 125 VDC: 300 A |
| 熔断特性： | VERY FAST | 主体高度： | 7.1 mm |
| 主体长度或直径： | 3.18 mm | 电路保护类型： | ELECTRIC FUSE |
| JESD-609代码： | e0 | 焦耳积分标称： | |
| 安装特点： | THROUGH HOLE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 包装方法： | BULK; TAPE AND REEL |
| 物理尺寸： | 3.18mm x 7.1mm | 额定分断能力： | 50 A |
| 额定电流： | 0.15 A | 额定电压（交流）： | 125 V |
| 额定电压（直流）： | 125 V | 参考标准： | CE; CSA; UL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形状： | PIN WIRE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MQ150TR | BEL |
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Electric Fuse, Fast Blow, 0.15A, 50A (IR), MICRO, |
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| MQ15KP100A | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, D |
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| MQ15KP100AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, D |
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| MQ15KP100AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, D |
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| MQ15KP100ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, D |
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| MQ15KP100C | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MQ15KP100CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MQ15KP100CAE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MQ15KP100CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MQ15KP100CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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