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MPSA92RLRM

更新时间: 2024-02-23 13:02:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压IOT
页数 文件大小 规格书
6页 79K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-92

MPSA92RLRM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.03
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

MPSA92RLRM 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
MPSA92  
PNP high-voltage transistor  
Product data sheet  
2004 Aug 20  
Supersedes data of 2001 Dec 07  

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