MPSA93

更新时间： 2024-09-30 04:39:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管高压 IOT
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2页	108K
描述
High voltage Si-epitaxial planar transistors

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MPSA93 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA93 数据手册

MPSA92 / MPSA93

High voltage Si-epitaxial planar transistors

Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren

PNP

Version 2005-07-04

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

E B C

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2 x 2.54

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions / Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MPSA92

MPSA93

200 V

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

300 V

200 V

5 V

625 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

500 mA

Base current – Basisstrom

- I_B

100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

-65...+150°C

-65…+150°C

T_S

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 200 V

I_E= 0, - V_CB= 160 V

MPSA92

MPSA93

- I_CB0

250 nA

–

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_B= 0, - V_EB= 3 V

- I_EB0

100 nA

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

MPSA92

- I_C= 20 mA, - I_B= 2 mA

- V_CEsat

500 mV

400 mV

MPSA93

–

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)

- I_C= 20 mA, - I_B= 2 mA

- V_BEsat

0.9 V

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS-A93	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR
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MPSA93/D11Z-18	TI	获取价格	200V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
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