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MPSA93

更新时间： 2024-09-30 10:48:47
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美微科 - MCC 晶体晶体管IOT
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描述
Epitaxial Planar PNP Transistor

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MPSA93 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MPSA93  
Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Through Hole Package  
Epitaxial Planar PNP  
Transistor  
xꢀ 150к Junction Temperature  
xꢀ Complementary to MPSA42/43  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
TO-92  
A
E
Marking:A93  
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
-200  
-200  
-5.0  
Unit  
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
B
V
V
-500  
500  
mA  
mA  
mW  
к
IE  
Emitter Current  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
625  
TJ  
150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
к
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
-200  
-200  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-150Vdc, IE=0)  
-0.25  
-0.1  
µAdc  
µAdc  
D
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-3.0Vdc, IC=0)  
---  
OFF CHARACTERISTICS  
*hFE  
DC Current Gain  
(VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc)  
(VCE=-10Vdc, IC=-10mAdc)  
(VCE=-10Vdc, IC=-30mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-20mAdc, IB=-2.0mAdc)  
Base-Emitter On Voltage  
25  
40  
25  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
E
B
G
C
*VCE(sat)  
*VBE(on)  
-0.5  
Vdc  
---  
-0.9  
Vdc  
(IC=-20mAdc, IB=-2.0mAdc)  
DIMENSIONS  
Small Signal Characteristics  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
50  
---  
MHz  
pF  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
(IC=-10mAdc, VCE=-20Vdc, f=100MHz)  
Collector Output Capacitance  
(IE=0mAdc, VCB=-20Vdc, f=1MHz)  
Cob  
8.0  
E
G
* Pulse Test: Pulse WidthЉ300µs, Duty CycleЉ2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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